俄宣布自研EUV光刻机 陆网民欢呼：老大哥给力 华为有救了！

俄宣布自研与ASML不同的EUV光刻机，大陆网民欢呼：「华为有救了」。（图／ASML）

据陆媒报导，俄罗斯已公布自主开发EUV（极紫外光）光刻机的路线图，这款EUV光刻系统与艾斯摩（ASML）的标准不同，但其目标是要比ASML的光刻机更便宜、更容易制造。一些大陆网民在网上留言对此表示质疑，同时也有网民热情欢呼：「还是老大哥给力，突破欧美光刻机封锁。中芯国际有救了，华为有救了！」

陆媒《芯智讯》引述汇流新闻网Cnews报导称，俄罗斯自主研发的光刻机采用11.2nm的雷射光源，而非ASML标准的13.5nm。这种波长将与现有的EUV设备不相容，需要俄罗斯开发自己的光刻生态系统，这可能需要10年或更长时间。

报导说，该光刻机开发计划由俄罗斯科学院微观结构物理研究所的Nikolay Chkhalo 领导，目标是制造出效能具竞争力且具成本优势的光刻机。它采用11.2nm的氙（xenon）基雷射光源，取代ASML 的基于雷射轰击金属锡（tin）液滴产生EUV光源的系统。而11.2nm的波长能将解析度提升约20%，不仅可以简化设计并降低光学元件的成本，还能呈现更精细的细节。

俄罗斯公布自主开发EUV光刻机的路线图，但估计开发这种光刻生态系统至少还要10年。（图／芯智讯）

此外，该设计可减少光学元件的污染，延长收集器和保护膜等关键零件的寿命。尽管该光刻机的晶圆制造产能仅为ASML 装置的37%，主要因为其光源功率仅3.6千瓦，但也足以应付小规模晶片生产需求。

报导表示，以11.2nm波长为基础的工具很难直接相容现有以13.5nm为基础EUV 架构与生态系统，甚至连电子设计自动化（EDA）工具也需要进行更新。虽然现有EDA 工具仍可完成逻辑合成、布局和路由等基本步骤，但涉及曝光的关键制程，需要重新校准或升级为适合11.2nm的新制程模型。

报导指出，该光刻机的开发工作将分为3个阶段，第1阶段将聚焦基础研究、关键技术辨识与初步元件测试；第2阶段将制造晶圆的原型机，并整合至晶片生产线；第3阶段的目标是打造一套可供工厂使用的系统。不过，目前还不清楚这些新的曝光工具将支援哪些制程技术，路线图也未提到各阶段完成的时间表。

相关报导在大陆引起不少网民热烈议论，有网民为此欢呼：「中芯国际有救了，华为有救了！还是老大哥给力，突破欧美光刻机封锁。」「雷射的难度会很大。不过ASML的方案也不是最优解，只能说是走一步算一步的产物。」「各种弊端也太明显了。现在很多国家都在搞其他的EUV方案。」

对此消息冷嘲热讽的网民留言就更多了：「看，那母猪正在上树。」「国内已经有了好吧，25年正式公布。」「嗯，那就等鹅光刻机开卖吧，慢慢等。」「总算看到比某企更会吹自研的了……」「朝鲜都已经说自己登陆太阳了，他的两位大哥还在哪研究光刻机呢。」