《国际产业》拉大竞争优势 SK海力士再斥巨资

这家韩国记忆体业者又在自己国家内砸下至少10亿美元，用来改良晶片制造最后一个重要阶段的技术。虽然SK海力士尚未公开今年资本支出是多少，但外界预估应有14兆韩元，约105亿美元，故先进封装的研发费用或有10.5亿美元之多。

SK海力士认为，全球半导体产业发展至今，前50年是把重心放在前端上面，泛指IC设计以及晶圆代工。未来50年的焦点应该转变为在后端上，也就是封装制程。就半导体产业链的特性而言，通常大晶片制造商会把组装与封测工作外包给亚洲各国。

由于技术斐然，SK海力士被全球人工智慧AI领头羊Nvidia，钦点为标准化（standard-setting）AI加速器所需之HBM供应商。另方面因市场疯买SK海力士，股价从2023年初迄今已飙升120%，市值不仅冲高至119兆韩元，且摇身一变成为韩国第2大上市公司。

表现优于三星与美光的SK海力士，所研发的第3代封装技术HBM2E，很快地就被这两家美韩竞争对手仿效。当初在2019年底，就是因为SK海力士研发出这种先进的封装技术，才会吸引Nvidia进而成为重要的大客户之一。

属于高效能记忆体的HBM，是将晶片先堆叠在一块，然后使用TSV（Through Silicon Via）矽穿孔技术将这些晶片相互连结，若跟传统PoP（Package on Package）技术相比，TSV的速度更快且密度更高。

当SK海力士与美国合作伙伴AMD，在2013年推出HBM时，两年内没有受到同业的挑战，不过，三星在2015年底就研发出HBM2产品。里昂证券认为，SK海力士高层事前做好充分准备，当机会到来时便用双手牢牢抓住。同时也戏谑，三星电子那个时候可能还在睡大头觉。

据悉，SK海力士正与电子材料底部填胶的全球大厂日商Namics合作。同时，SK海力士也把大部分资源投入散热能力更好的MR-MUF（Mass Reflow Molded Underfill）技术，以及前述TSV制程。

多年以来，高阶管理层一直处于群龙无首的三星电子，现在在会长李在镕的领导下，正在急起直追。2023年，三星所生产的HBM晶片受到Nvidia认证通过。2月底时，三星曾说已研发出第5代技术，有12层DRAM堆叠，以及业界最大容量36GB的HBM3E产品。

相同的一天，美国的美光突然对外宣布，已开始量产24GB容量有8层堆叠的HBM3E。同时，此项产品也将成为Nvidia第二季计划出货的H200 Tensor核心GPU的重要零组件。

彭博社指出，志在扩大业务与增加研发技术的SK海力士，已计划在美国建造好几10亿美元的高阶封装设备。面对愈来愈激烈的同业竞争，SK海力士目前所决定的每一项投资，都是为了后几代的高效能记忆体产品来做事先准备。