HBM产值占比 明年估逾3成

TrendForce调查,HBM销售单价,较传统型DRAM高出数倍,与DDR5价差约5倍,加上AI晶片相关产品更迭,使HBM单机搭载容量扩大,促使2023~2025年间,HBM占DRAM总产能及总产值占比,大幅向上。

在产能方面,2023、2024年HBM占DRAM总产能分别是2%及5%,至2025年预估将超过10%。

在产值方面,2024年起HBM之于DRAM总产值预估可逾20%,至2025年占比有机会逾3成。

TrendForce资深研究副总吴雅婷表示,2024年第二季已开始针对2025年HBM进入议价,不过,受限于DRAM总产能有限,为避免产能排挤效应,供应商已经初步调涨5%~10%,包含HBM2e、HBM3与HBM3e。

而供应商议价时间提早于第二季,有三大原因,其一,HBM买方对于AI需求展望仍具高度信心,愿意接受价格续涨。其二,HBM3e的TSV良率目前仅约40%~60%,仍有待提升,加上并非三大原厂都已经通过HBM3e的客户验证,故HBM买方也愿意接受涨价,以锁定品质稳定的货源。其三,未来HBM每Gb单价可能因DRAM供应商的可靠度,以及供应能力产生价差,对于供应商而言,未来平均销售单价将会因此出现差异,并进一步影响获利。

展望2025年,由主要AI解决方案供应商的角度来看,HBM规格需求大幅转向HBM3e,且将会有更多12hi的产品出现,带动单晶片搭载HBM的容量提升。根据TrendForce预估,2024年的HBM需求位元年成长率近200%,2025年可望将再翻倍。