HBM产值占比 明年估逾3成

TrendForce调查，HBM销售单价，较传统型DRAM高出数倍，与DDR5价差约5倍，加上AI晶片相关产品更迭，使HBM单机搭载容量扩大，促使2023～2025年间，HBM占DRAM总产能及总产值占比，大幅向上。

在产能方面，2023、2024年HBM占DRAM总产能分别是2％及5％，至2025年预估将超过10％。

在产值方面，2024年起HBM之于DRAM总产值预估可逾20％，至2025年占比有机会逾3成。

TrendForce资深研究副总吴雅婷表示，2024年第二季已开始针对2025年HBM进入议价，不过，受限于DRAM总产能有限，为避免产能排挤效应，供应商已经初步调涨5％～10％，包含HBM2e、HBM3与HBM3e。

而供应商议价时间提早于第二季，有三大原因，其一，HBM买方对于AI需求展望仍具高度信心，愿意接受价格续涨。其二，HBM3e的TSV良率目前仅约40％～60％，仍有待提升，加上并非三大原厂都已经通过HBM3e的客户验证，故HBM买方也愿意接受涨价，以锁定品质稳定的货源。其三，未来HBM每Gb单价可能因DRAM供应商的可靠度，以及供应能力产生价差，对于供应商而言，未来平均销售单价将会因此出现差异，并进一步影响获利。

展望2025年，由主要AI解决方案供应商的角度来看，HBM规格需求大幅转向HBM3e，且将会有更多12hi的产品出现，带动单晶片搭载HBM的容量提升。根据TrendForce预估，2024年的HBM需求位元年成长率近200％，2025年可望将再翻倍。