辉达塞爆台积3、4奈米

AI年度盛事辉达GTC（GPU Technology Conference）大会于美西时间3月17日登场。图／美联社

辉达GPU设计蓝图

AI年度盛事辉达GTC（GPU Technology Conference）大会于美西时间3月17日登场，市场估H200及B100将提前发表抢市。据了解，H200及次世代B100将分别采台积电4奈米及3奈米制程，H200将于第二季上市，B100采Chiplet设计架构传已下单投片。法人指出辉达订单强强滚，台积电3、4奈米产能几近满载，首季营运淡季不淡。

针对辉达新世代晶片订单塞爆台积电先进制程一事，台积电表示，产能制程仍依照上次法说会所述内容，不再做说明。

辉达日前强调，生成式AI及大型语言模型计算非常密集，需要多个GPU组成，然从客户购买到推论模型上线，需要几个季度的时间；换言之，今年看到的推论应用，是来自去年购买的GPU，意味着随着模型参数成长，GPU需求势必延续跟着扩大。

除GPU数量增加外，辉达GPU效率也将在今年大幅提升，Blackwell系列的B100就是被市场视为下一世代辉达GPU利器，除了是首款采台积电3奈米打造外，更是第一款以Chiplet及CoWoS-L形式封装的辉达产品，解决高耗电量与散热问题，单卡效率及电晶体密度，预估又将超车AMD首季推出的MI300系列。

半导体业者指出，台积电2023年即提前因应产能吃紧的现象，尤其针对先进封装CoWoS产能，除移机挪出龙潭厂空间外，竹南AP6也如火如荼启用；据供应链透露，原本今年下半年动工之铜锣厂，已规划提早于第二季进行，目标就是力拚2027年上半年，能够提供月产11万片12吋晶圆的3D Fabric量能。

台积电先进制程也持续满载，台积电2月产能利用率持续超过9成，AI需求不减。供应链表示，AI、HPC等应用一片晶圆能产出之晶片仅为消费性产品的四分之一，生产制造难度更高、更复杂；台积电能达到稳定量产，对晶片业者来说，非常重要。

此外，在H200转向新记忆体HBM，也将面临产能限制。H200到B100积极与云端服务供应商（CSP）进行新平台衔接，辉达强调，数据中心功率密度是关键，多数CSP提前2～3年确保数据中心容量，必须提前规划。

除CSP业者外，较小型的语言模型开发商，因无法负担ASIC开案费用，多数将使用辉达解决方案，积少成多下，也将成订单主力，台积电目前HPC／AI应用平台占营收比重达43％，已与智慧型手机齐平。（相关新闻见A3）