《科技》美光HBM3E应用于辉达拚Q2出货 加速AI普及拱股涨

美光执行副总裁暨事业长Sumit Sadana表示，美光在HBM3E此一里程碑上取得了三连胜，为领先的上市时间、业界最佳的效能、杰出的能源效率。AI工作负载亟需记忆体频宽与容量，美光HBM3E和HBM4产品蓝图领先业界，针对AI应用提供完整的DRAM和NAND解决方案，支援未来AI显著的成长。

随着AI需求不断提升，能够应付与日俱增工作负载的记忆体解决方案变得更加关键。美光HBM3E推动AI革命，HBM3E解决方案具备效能、效率高可扩展性等优势应对挑战，美光HBM3E每脚位传输速率超过9.2 Gb/s，记忆体频宽达1.2 TB/s以上，为AI加速器、超级电脑与资料中心提供如闪电般快速的资料存取速度。与竞品相比，美光HBM3E功耗降低了约30%，引领业界。为了支援日益增长的AI需求和应用，HBM3E能以最低的功耗提供最大的传输量，进而改善资料中心重要的营运成本指标。美光HBM3E目前提供24 GB容量，使资料中心可无缝扩展其AI应用，无论是用于训练大型神经网路还是加速推理任务，美光解决方案都能为其提供所需的记忆体频宽。

透过其1B技术、先进直通矽晶穿孔(TSV)和其他创新，美光得以发展领先业界的HBM3E设计，并实现具差异性的封装解决方案。美光也规画将在2024年3月推出12层堆叠36GB HBM3E的样品，相较于竞品，效能可达1.2TB/s以上并具备优异的能源效率，能进一步延续其业界领导地位。

此外，美光也将成为辉达GTC AI大会的赞助商，该大会将于3月18日开始，届时美光将更详细地分享其领先业界的AI记忆体产品组合与蓝图。