加速AI普及 美光HBM3E記憶體正式量產

美光宣布量产8层堆叠 24GB HBM3E，预计于2024年第2季出货。

美商记忆体美光科技，今宣布其8层堆叠 24GB HBM3E解决方案已正式量产。美光HBM3E解决方案将应用于 辉达 H200 Tensor Core GPU，预计于 2024年第2季出货。美光强调将挟此产品优势，取得业业界领先地位。

随着AI需求不断提升，能够应付与日俱增工作负载的记忆体解决方案变得更加关键。美光强调该公司推出的 HBM3E 解决方案具备卓越效能， 每脚位传输速率超过 9.2 Gb/s，记忆体频宽达 1.2 TB/s 以上，为 AI 加速器、超级电脑与资料中心提供如闪电般快速的资料存取速度。

与竞争产品相比，美光强调HBM3E功耗降低了30%，且为了支援日益增长的 AI 需求和应用，HBM3E 能以最低的功耗提供最大的传输量，进而改善资料中心重要的营运成本指标。

再者HBM3E具备可扩展性。美光表示，HBM3E目前提供24GB容量，使资料中心可无缝扩展其AI 应用，无论是用于训练大型神经网路还是加速推理任务，美光解决方案都能为其提供所需的记忆体频宽。

美光执行副总裁暨事业长 Sumit Sadana 表示：「美光在 HBM3E 此一里程碑上取得了三连胜：领先的上市时间、业界最佳的效能、杰出的能源效率。AI 工作负载亟需记忆体频宽与容量，美光 HBM3E 和 HBM4 产品蓝图领先业界，针对 AI 应用提供完整的 DRAM 和 NAND 解决方案，支援未来 AI 显著的成长。」

透过其 1β 技术、先进直通矽晶穿孔 (TSV) 和其他创新，美光得以发展领先业界的 HBM3E 设计，并实现具差异性的封装解决方案。作为记忆体领域中 2.5D/3D 堆叠和先进封装技术的领导者，美光相当自豪成为台积电 3DFabric 联盟的合作伙伴，共同形塑半导体和系统创新的未来。

美光也规画将在2024年3月推出12层堆叠 36GB HBM3E 的样品，相较于竞品，效能可达 1.2TB/s 以上并具备优异的能源效率，能进一步延续其业界领导地位。此外，美光也将成为辉达 GTC AI 大会的赞助商，该大会将于 3月18日开始，届时美光将更详细地分享其领先业界的 AI 记忆体产品组合与蓝图。