两利基 联电今年拚登峰

联电近年业绩概况

晶圆专工大厂联电去年完成日本厂Fab 12M（USJC）收购后，在台湾、大陆、日本、新加坡等地都拥有8吋或12吋厂生产据点，已完成多元化战略布局。联电虽已不再与同业在7奈米及更先进制程市场竞争，但14奈米已进入量产，成熟利基制程布局完整。法人看好，联电在全球地缘政治竞争下将稳固基本盘，今年营收可望创下历史新高。

联电今年上半年接单强劲，产能利用率维持高档，4月合并营收月增3.4％达150.59亿元，创下单月营收历史新高，年增24.6％。累计前四月合并营收达573.27亿元，较去年同期成长28.4％，同样改写历年同期历史新高纪录。联电第二季晶圆代工需求及晶圆平均美元价格同步回温，法人预估第二季合并营收将季增5％以内，续创季度营收历史新高。

联电不再与同业在先进制程上进行军备竞赛，但看好未来半导体科技运用将以人工智慧、物联网、5G 通讯、汽车电子为主，将有大量的晶片需求，且多为联电所专精的技术及特殊制程，因此成为联电持续投资策略重点。联电为领先布局晶圆厂生产基地多元化，去年完日本厂Fab 12M（USJC）收购并增加具成本效益的产能，将可提供长期成长所需。

在先进制程布局上，联电14奈米14FFC制程已成功的导入5G及网通等应用，良率达业界量产水准。22奈米超低功耗22ULP及超低漏电流22ULL制程平台已完成客户产品验证，28奈米高效能运算28HPC+制程应用于影像信号处理器（ISP）今年导入量产，28奈米毫米波（mmWave）制程将可提供低功耗的CMOS 解决方案。

在特殊制程布局上，联电40奈米高压制程是业界第一个领先开发并量产OLED面板驱动IC，28奈米高压制程也已进入量产阶段。联电亦提供射频绝缘半导体（RFSOI）技术，可满足所有4G/5G手机对射频开关的严格要求。