美光台中四厂 聚焦AI新应用

据了解，Sanjay Mehrotra将偕同美光技术开发事业部资深副总裁陈德拉斯卡兰（Naga Chandrasekaran）、美光前段制造企业副总裁暨台湾美光董事长卢东晖、美光先进封装技术开发处副总裁辛赫（Akshay Singh）以及政府官员莅临盛会。

美光成立45周年来，缔造了无数创新科技，奠定其业界领导地位。因应AI浪潮来袭，美光亦推出新一代高频宽记忆体（HBM3E），赋能未来AI应用，而台湾台中四厂将是美光深化在台承诺的实践。

台湾是美光DRAM卓越制造中心之一，多达65％DRAM在台湾生产，未来台湾更将是最先进DRAM制造和先进封装重镇。

美光目前正在打造下一世代1-gamma制程，采用极紫外光（EUV）制程技术，计划2025年上半年量产，1-gamma制程预期就会先在台中厂量产。

近期AI浪潮风起云涌，HBM更在AI扮演重要角色，美光正积极扩大HBM布局，先前宣布推出业界首款8层堆叠（8-High）24GB的HBM3 Gen 2产品，已开始送样，计划2024年第一季放量出货。

TrendForce指出，HBM是高阶AI晶片上搭载的记忆体，属于DRAM中的一个类别，主要由三大供应商三星（Samsung）、SK海力士（SK hynix）与美光供应。

随着AI热潮带动晶片需求，对HBM需求量在2023年与2024年随之提升，促使原厂纷纷加大HBM产能，展望2024年，HBM供给情况可望大幅改善。

而以规格而言，伴随AI晶片需要更高效能，HBM主流也将在2024年移转至HBM3与HBM3e。

整体而言，在需求位元提高以及HBM3与HBM3e平均销售价格高于前代产品的情形下，2024年HBM营收可望有显著的成长。