三星电子8层版本的HBM3E存储芯片通过英伟达测试

【三星电子8层版本的HBM3E存储芯片通过英伟达测试】财联社8月7日电，知情人士称，三星电子第五代HBM3E存储芯片的8层版本已经通过英伟达的测试。三星电子和英伟达尚未就8层HBM3E存储芯片签署供应协议，但很快就会签署；预计第四季度开始供应。12层版本的HBM3E存储芯片尚未通过英伟达的测试。（路透）