三星抢攻辉达供应链 HBM3E通过测试与否 内部人士这样说

三星HBM3E晶片是否通过辉达测试，传出不同说法。（示意图：shutterstock/达志）

受惠于AI市场的强劲需求，南韩三星电子今年第2季半导体业务营收终于超车台积电，时隔2年重新登上半导体王者宝座。近来又传出三星第5代HBM3E记忆体晶片的8层版本已通过辉达测试，双方即将签订供货合约，预计今年第4季就会开始供货。可是三星内部人士却向韩媒否认了相关报导。

目前SK海力士是辉达主要HBM（高频宽记忆体）供应商，美光也将为辉达供应HBM3E。而三星为了要巩固在AI半导体中的主导地位，迫切需要向辉达供货。

据路透社近日引述消息人士说法报导，三星电子第5代HBM3E记忆体晶片的8层版本已通过辉达的测试，但12层HBM3E晶片却仍未通过辉达测试。

不过韩媒《Business Korea》却在报导中指出，三星高层声称「这与事实相去甚远」，否认了公司第5代HBM3E记忆体晶片的8层版本已通过辉达测试的报导。

三星方面向《Business Korea》表示，「我们无法证实与我们客户相关的故事，但该报导并不属实」。三星一位高层指出，正如公司在7月的电话会议上所言，品质测试正在进行中，自那时起并没有任何变化。

三星在7月31日公布第2季财报的电话会议上表示，已向辉达等主要客户提供了其HBM3E晶片8层版本产品的样品，为增加该晶片的量产做准备，预计第3季开始量产供应。据三星预测，HBM3E晶片到了第4季，将占其HBM晶片销量的60%。