三星少主出狱首发剑指台积电 放话抢先量产2奈米晶片

三星电子今(7日)在2021年三星晶圆代工论坛公布家晶圆代工未来架构方向。(示意图/达志影像)

三星电子今(7日)在2021年三星晶圆代工论坛表示，准备在2025年抢先台积电量产2奈米制程晶片，这是三星少主李在镕8月出狱后，首次提出挑战晶圆代工龙头台积电的未来战略，剑指台积电的意味浓厚。

综合韩媒报导，三星公布家晶圆代工未来架构方向表示，预计在2023年使用第2代3奈米制程，并在2025年时，使用GAA(闸极全环电晶体技术)产出的2奈米技术来量产晶片，并指出，最晚将在2026年时，晶圆代工产能要再增近1倍左右。

三星表示，他们独特的GAA技术，可使晶片面积减少35%，性能提高30%，功耗降低50%，并提升至与采用FinFET(鳍式场效电晶体技术)5nm制程一样的性能。

媒体分析指出，三星有机会借由导入GAA技术，超车台积电，如果三星抢先在台积电之前推出先进制程，将有机会获得苹果、高通等科技大厂的订单。