台积电2奈米传良率提高6％　帮客户节省数十亿美元

▲台积电。（图／记者高兆麟摄）

记者高兆麟／综合报导

台积电（2330）预计将于明年下半年开始使用其N2制程，根据外媒tomshardware报导，台积电团队已成功将测试晶片的良率提高了6%，为公司客户创造了数十亿美元的节省。

根据台积电员工向外媒说法，他并未透露该台积电是否提高了SRAM测试晶片或逻辑测试晶片的良率。但提高SRAM和逻辑测试晶片的良率确实非常重要，因为最终，它可以为客户节省大量成本，从而从更高的良率中受益。

在相同的电晶体数量和频率下，使用N2制造技术制造的晶片预计比使用N3E制造的晶片消耗25%至30%的功耗，在相同的电晶体数量和功率下提供10%至15%的性能改进，并且与 N3E制造的半导体相比，电晶体密度增加了15%，同时保持相同的速度和功率。

台积电预计将于2025年下半年开始采用N2制造制程大规模生产晶片。