严管防漏 台积审查7奈米以下合约

美国管制进一步收紧，据传商务部正着手HBM、半导体设备等额外限制，各家业者严阵以待。自11月初传出台积电停止出货陆系业者7奈米以下，涉及AI训练相关之先进制程晶片，而台积电现正进行更严格的审查，台厂部分IC公司晶片线上在制品（Wafer in process）受到搁置，静待进一步厘清。

然而，科技业界指出，美国制裁成效不佳，尤其在成熟制程部分，陆系业者已经可以自制65奈米光刻机。据工信部「首套重大技术装备推广应用指导目录」指出，国产光刻记可达光源193nm、分辨率≦65nm、套刻≦8nm，应可达NA（数值孔径）0.82的KrF和NA 0.93的ArF两种干式光刻机，分别适用110nm和65nm级以上制程。

尽管看起来落后，但理论上以多重曝光方式已可以达到先进制程水准。业界之所以选择在40奈米开始采用浸润式深紫外光曝光机（DUV），是因为考量低阶制程不值得用高成本的多重曝光，不过在制裁下别无选择；大陆半导体产业已经步入正向循环，恐怕不是禁止台积电生产晶片这么简单。

按照工信部一贯作法，该光刻机恐怕已经不是最先进，一定程度上宣示大陆半导体产业自主。尽管目前先进制程部分仍遭卡脖子，但科技业者语重心长地提醒，大陆仍持续培养高阶半导体人才，不容小觑。