台积电、ARM合作延伸至20奈米以下
▲台积电今日宣布与ARM合作延伸至20奈米以下。(图／台积电提供)
记者蔡怡杼／台北报导ARM与台积电今(23)日共同宣布一项为期多年的合作协议，将双方的合作延续至20奈米制程以下，借由台积电FinFET制程提供ARM的处理器技术，让晶片设计商在应用处理器领域也能扩展其市场领先优势。此项合作将为ARMv8架构下的新一世代64位元ARM 处理器、ARM Artisan实体IP、以及台积电FinFET制程技术进行最佳化，以应用于要求高性能与节能兼具的行动及企业市场。ARM执行副总裁暨处理器部门及实体IP部门总经理Simon Segars表示，借由与台积电的密切合作，ARM将能善用台积电的专长，在先进矽制程技术中迅速地大幅提升高度整合SoC的量产。这项持续性深入的合作关系可以让ARM的客户及早利用FinFET技术，推出高效节能的产品。台积电研究发展副总经理侯永清博士表示，这次的合作让两大产业龙头比以往更加提早地携手合作，透过ARM 64位元处理器与实体IP，让台积电FinFET制程进行最佳化。因此，台积电能够成功地实现高速、低电压与低漏电流的目标，进而满足共同客户的要求，并达成产品迅速上市的目标。这次的合作涵盖了两家公司的技术资讯共享与回馈，协助提升ARM矽智财与台积公司制程技术的开发。ARM将借助制程资讯，打造兼顾效能、功率与面积(Power, Performance and Area, PPA)的最佳化完整解决方案，以降低风险并促使客户及早采用。台积电将借由ARM最新的处理器和技术，为先进的FinFET制程技术制定基准点并进行最佳化。透过台积公司FinFET技术与ARMv8架构的整合，晶片设计产业可以取得能跨市场类别且持续创新的解决方案。此外，这项合作将可改善矽制程、实体IP和处理器技术，共同促成崭新的系统单晶片(SoC)创新，并缩短产品上市时程。