2奈米機台爭奪戰開打 ASML明年擬生產十台設備

南韩三星电子将与荷兰半导体制造设备大厂艾司摩尔合资，在南韩兴建开发尖端半导体先进制程技术的设施。（路透）

台积电（2330）、三星与英特尔在2奈米先进制程大比拚之际，新一波「抢关键机台大战」同步开打。南韩媒体披露，半导体先进制程微影设备龙头艾司摩尔（ASML）计划明年生产十台可生产2奈米晶片的设备，英特尔抢下高达六台，暂居领先，加上三星也极力拉拢艾司摩尔，台积电压力不小。

南韩科技媒体SamMobile报导，随着主要晶圆厂陆续释出要在2025年开始生产2奈米晶片后，艾司摩尔将在未来几个月内推出可生产2奈米制程晶片的设备，其最新极紫外光（EUV）微影设备预计将让数值孔径（NA）从0.33提高至0.55，让光学系统的收光能力更强，有助晶圆厂利用超精细图案化技术来生产2奈米制程晶片。

艾司摩尔是全球唯一能提供EUV设备的厂商，三星积极拉拢，日前已与艾司摩尔签订合资1兆韩元（7.55亿美元）在南韩建立研发设施的历史性协议，有助三星2奈米制程发展。三星规划，取得2奈米制造设备后，将于2025年底开始生产2奈米制程晶片。

台积电、三星、英特尔发展2奈米近况

三星领导装置解决部门的负责主管庆桂显强调，与艾司摩尔的新协议，有助三星取得下一代高数值孔径EUV微影设备。他说，「三星已取得高数值孔径设备技术的优先权。我相信我们创造了机会，能优化利用高数值孔径技术，长期有利于生产DRAM和逻辑晶片」。

报导同时指出，艾司摩尔计划明年生产十台可生产2奈米制程晶片的设备，英特尔传出已抢下其中六台。艾司摩尔计划未来几年要提高年产能到20台。

英特尔方面，其配合IDM 2.0策略，推行四年五个节点制程开发计划。英特尔强调，旗下Intel 20A制程正按预计迈向量产准备的进度进行，Intel 18A制程则将按进度规画，于明年首季移转到进厂阶段。

面对三星、英特尔来势汹汹，台积电也不是省油的灯。英国金融时报先前引述知情人士报导，台积电已对苹果和辉达等大客户展示2奈米制程的原型测试成果。

台积电先前于法说会中提到，预期2奈米制程将如期在2025年进入量产。台积电的2奈米背面电轨（backside power rail）方案预定于2025年下半推出，2026年量产。

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