德仪GaN晶片 会津厂投产

TI技术与制造资深副总裁Mohammad Yunus表示，该公司已成功验证8吋GaN技术，并在会津量产，这是现今扩充性最高且最具成本竞争力的GaN制造技术。

TI将拥有更多的GaN晶片自有产能，并在2030年前，将内部制造的比率提升至95％以上，同时也可从多个TI据点进行采购，确保整个高功率、节能半导体GaN产品组合的可靠供应。

GaN做为矽的替代方案，提供多项优势，包括节能、开关速度、电源解决方案尺寸与重量、整体系统成本，以及在高温与高压条件下的性能等。GaN晶片可提供更高的功率密度，也就是在更小的空间提供更多功率，使其能应用于笔记型电脑或行动电话的电源转接器。