《科技》TI日本会津厂开始生产GaN 自产能力大跃进

TI技术与制造资深副总裁Mohammad Yunus指出：「我们拥有超过十年的GaN晶片设计与制造经验，成功验证了8吋GaN技术，并已在会津工厂量产，这是目前最具扩充性且成本竞争力的GaN技术。我们的目标是到2030年将内部GaN晶片制造比率提升至95%以上，并确保从多个据点稳定供应GaN产品。」

GaN技术作为矽的替代方案，在节能、开关速度、电源解决方案的尺寸与重量、系统成本等方面具备显著优势。GaN晶片能提供更高的功率密度，适用于笔记型电脑、行动电话的电源转接器，以及加热与空调系统和家用电器马达等应用。

TI目前提供最广泛的整合式GaN功率半导体产品组合，从低电压到高电压应用皆涵盖在内。高电压电源副总裁Kannan Soundarapandian表示，GaN技术能在更小空间内提供更高效能，满足如伺服器电源、太阳能发电、AC/DC转接器等系统设计师对于降低功耗和提升效率的需求。

TI的GaN晶片经过超过8,000万小时的可靠性测试，并配备整合式保护功能，确保在高电压系统中的安全性。此外，TI的新产能采用现今市面上最先进的制造设备，不仅提升产品性能与制程效率，还具备成本优势和更高的环境效益。TI的制造过程使用更少的水、能源与原物料，而最终产品同样具备节能的环保效益。

TI正在持续扩大GaN制造规模，未来将提升GaN晶片的电压等级，从900伏特开始逐步扩展至更高电压，应用于机器人、再生能源和伺服器电源等领域，进一步推动能源效率与创新。此外，TI已于12吋晶圆上成功试行GaN制造，为未来进一步提升产能做好准备。