DRAM今年成长39% 明年估负成长

动态随机存取储存(DRAM)下半年传出价格松动。(图/资料照)

记者周康玉台北报导

动态随机存取储存(DRAM)下半年传出价格松动,但根据IC Insights最新报告指出,DRAM因价格这两年(2017和2018年)的平均销售价格强劲上扬,今年来成长达39%,但预估明年将会呈现负成长1%。

但值得注意的是,DRAM在这六年来起伏颇大,在IC市场中,时而年成长达第一名,时而又垫底,显示此产业不稳定性周期性

报告指出,因为2017年、2018年DRAM强劲成长,三星、SK海力士美光等三大记忆体厂已扩大产能,减缓供需紧张,尤其是在高效能计算(HPC)记忆体方面

此外,大型数据中心服务器(datacenter)的出货量大幅增加,是近期DRAM市场激增的主要催化剂,然而因中美贸易不确定性恐会影响到后续基础建设决策

NAND Flash在去年也同样具有高成长性,年成长达53%,其中,固态计算(Solid-state computing)是驱动高密度、高效能的关键