工研院与台积电合作开发SOT-MRAM元件 抢攻高速运算领域商机

工研院建立深厚的前瞻记忆体研发能量，与晶圆制造龙头台积电合作，双方携手开发出自旋轨道转矩磁性记忆体，阵列晶片搭配创新的运算架构，适用于记忆体内运算，且功耗仅为STT-MRAM的百分之一。图／工研院提供

经济部长期以来科专计划补助工研院建立深厚的前瞻记忆体研发能量，与晶圆制造龙头台积电合作，双方携手开发出自旋轨道转矩磁性记忆体（Spin Orbit Torque MRAM；SOT-MRAM）阵列晶片搭配创新的运算架构，适用于记忆体内运算，且功耗仅为STT-MRAM的百分之一，成果领先国际，并在全球微电子元件领域顶尖会议之「国际电子元件会议」（International Electron Devices Meeting；IEDM）共同发表论文，展现次世代记忆体技术的研发能量，维持台湾半导体在全球产业不可或缺的地位。

经济部产业技术司表示，随着 AI 人工智慧、5G与AIoT时代的来临，需要快速处理大量资料，因此更快、更稳、功耗更低的新世代记忆体成为重要的关键。经济部支持产业与相关法人建立深厚的前瞻记忆体研发能量，期待技术成果可以逐步在产业落实。这次借由工研院与台积电双方共同合作，强强联手，发表重要研发成果，来引领产业加速跻身下世代记忆体技术领先群，维持台湾半导体的国际竞争优势。

工研院电子与光电系统所所长张世杰指出，工研院和台积电继去年在全球半导体领域顶尖之「超大型积体技术及电路国际会议」（Symposium on VLSI Technology and Circuits）共同发表论文之后，今年更开发出兼具低功耗、10奈秒（nanoseconds；ns）高速工作等优点之SOT-MRAM单元，并结合电路设计完成记忆体内运算技术，进一步提升运算效能，跳脱了MRAM已往以记忆体为主的应用情境，双方将研发成果共同发表在IEDM 2023。未来此技术可应用于高效能运算（High Performance Computing；HPC）、AI人工智慧及车用晶片等。