联电与Avalanche合作22奈米航太应用高密度MRAM

联电与Avalanche合作的第三代产品平台建构于Avalanche最新一代自旋转移矩磁性记忆体（Spin-Transfer-Torque MRAM，STT-MRAM）技术，以及联电的22奈米制程。相较于现有的非挥发性解决方案，更具高密度、耐用性、可靠度和低功耗的优势。

Avalanche行销与商务发展副总经理Danny Sabour表示，此次新产品的推出，真正实现了市场对高耐用性、高可靠性和高密度的各项应用需求，且无需外部电池、错误修正代码（ECC）或耗损平均技术。有鉴于现今无所不在的感测装置以及日益升高的资料处理需求推升对耐磨损、高持久性记忆体的需要，将很快启动进一步提高16Gb单晶片解决方案的开发工作。

联电前瞻发展办公室暨研究发展副总经理洪圭钧表示，联电与Avalanche合作，将此独立的记忆体解决方案投入生产，这是一个重要的里程碑，有助于将坚实且高度可扩展的MRAM解决方案商业化。联电凭借着多元的晶圆专工技术和卓越的制造能力，并透过此次与Avalanche的合作，将满足市场对持久性记忆体不断提升的需求。

Avalanche首席技术长兼技术与晶圆专工业务副总经理怀一鸣表示，自2006年起，Avalanche持续专注于开发创新垂直式磁穿隧接面（perpendicular Magnetic Tunnel Junction，pMTJ）结构的STT-MRAM技术，今后将以领先业界的pMTJ和CMOS设计为基础，透过与联电在晶圆代工领域合作，让最先进的高密度和高性能STT-MRAM产品得以问世。