《半导体》联电携手Avalanche 推航太用高密度P-SRAM

Avalanche Technology为次世代垂直式自旋磁性记忆体技术（Perpendicular STT-MRAM）领导者，凭借多个几何制程经过验证的STT-MRAM产品及超过300项专利和应用组合，实现下一代可扩展统一记忆体架构，以应用于工业、物联网、航太和储存应用。

Avalanche Technology行销与商务发展副总经理Danny Sabour表示，此次推出新产品，真正实现市场对高耐用性、可靠性和高密度的各项应用需求，且无需外部电池、错误修正代码（ECC）或耗损平均技术。

Danny Sabour指出，鉴于现今感测装置无所不在，且资料处理需求推升对耐磨损、高持久性记忆体的需要日益升高，将很快启动进一步提高16Gb单晶片解决方案的开发工作。

联电前瞻发展办公室暨研究发展副总洪圭钧表示，公司凭借多元晶圆专工技术和卓越制造能力，透过携手Avalanche Technology投产此独立记忆体解决方案，有助将坚实且高度可扩展的MRAM解决方案商业化，满足持续提升的持久性记忆体市场需求，为一重要里程碑。

Avalanche Technology首席技术长兼技术与晶圆专工业务副总怀一鸣表示，公司自2006年起专注开发创新垂直式磁穿隧接面（pMTJ）结构的STT-MRAM技术。透过合作伙伴联电，使最先进的高密度和高性能STT-MRAM产品得以问世。