联电、新思扩大战略合作发展14奈米

记者高振诚新竹报导

联电(2303)与新思扩大战略合作冲刺14奈米先进制程技术,联电表示,未来新思将会在联电14奈米第2个PQV测试晶片上,纳入DesignWare嵌入式记忆体IP及DesignWare STAR记忆体系统测试修复方案,未来将可提供更多矽资料,进一步微调14奈米FinFET制程。

新思科技IP暨原型建造行销副总裁John Koeter指出:「新思科技与联电扩展的合作关系展现了双方共同的目标,也就是协助晶片设计公司在联电制程上,将我们的DesignWare矽智财结合到其系统单晶片设计上」。

John Koeter透露,目前已有超过45颗FinFET测试晶片设计定案(tapeout),新思将持续为FinFET制程提供高品质矽智财,使晶片设计公司能够降低整合风险,并加速量产时程

联电矽智财研发暨设计支援副总王国雍表示:「联电现目前正致力建构相当完整全方位支援架构,借此加速14奈米客户design-in的速度。王国雍表示,联电最先进的制程与新思科技优质的DesignWare矽智财继续拓展合作,期盼这份伙伴关系所带来的好处,可提供给双方客户获得功耗效能成本上的优势

据了解,双方已成功设计定案第一个14奈米FinFET制程PQV,其中包含新思DesignWare逻辑库与StarRC寄生电路抽取工具(parasitic extraction tool),这次合作也被双方视为伙伴关系的延续。

而相关消息也反映在股价上,联电今天开高走高,尾盘收在13.15元;在权证市场,认购状况相当热络建议想参与行情可选距到期日天数较长的进行布局