联电28奈米 携手美商开发MRAM
晶圆代工大厂联电（2303）宣布，与美商Avalanch合作共同开发和生产取代嵌入式记忆体的磁阻式随机存取记忆体(MRAM)，同时透过Avalanche的授权提供技术给其他公司。
根据此合作协议，联电将在28奈米CMOS制程上提供嵌入式非挥发性MRAM区块供客户将低延迟、超高效能及低功率的嵌入式MRAM记忆体模组整合至应用产品，并锁定在物联网、穿戴装置、消费型产品，以及工业、车用电子市场的微控制器(MCU)和系统单晶片(SoC)上。
两家公司也正考虑将合作范畴扩展至28奈米以下的制程技术，利用Avalanche 在CMOS技术的相容及可扩充特性，运用到各个先进制程。使这些统一记忆体(非挥发性及静态随机存取记忆体SRAM)能顺利地移转调配到下一世代的高整合性的微控制器(MCU)和系统单晶片(SoC)上。如此一来，系统设计者就可以在同样的架构及连带的软体系统上直接修改而不需重新设计。
联电先进技术处洪圭钧副总经理表示，随着嵌入式非挥发性记忆体NVM解决方案在目前的晶片设计界日趋普及，联电已成为高成长的行业，如：新兴消费和车用电子应用的客户，建立了强大且坚实的嵌入式非挥发性记忆体解决方案组合，更期待能将此合作进程推升至量产阶段。