先进及特殊制程 洪嘉聪:联电进展顺利

晶圆代大厂联电董事长洪嘉聪表示,新冠肺炎疫情衍生许多新的工作型态市场需求,包括人工智慧(AI)、先进制造、5G通讯量子讯息科技等,将是新时代半导体科技运用趋势。联电将持续强化公司竞争优势,掌握后疫情的新需求及创新服务,在经营策略上维持既定的兼顾财务体质改善及持续成长。法人看好联电今年营收及获利将同步创下新高纪录

洪嘉聪在营运报告书中指出,去年新冠肺炎疫情肆虐全球,联电面对此动荡局势,经营团队配合政府政策进行超前部署,与全体同仁正面迎击疫情,共同努力维持正常营运,且能稳定成长。

洪嘉聪表示,联电自从调整经营策略后,转型为专注特殊技术领先者,并从强化财务结构、具成本竞争力的产能扩充及调整产品组合著手。检视目前成效,在策略定位、技术及产能、良率、获利与永续经营各方面都有亮丽的表现。

联电去年在先进制程平台推出14奈米14FFC制程、22奈米超低功耗22ULP及超低漏电流22ULL制程、28奈米高效能运算28HPC+制程等均已进入量产,并采用28HPC+制程量产影像讯号处理器(ISP)且今年导入更先进的高阶产品。联电亦针对毫米波(mmWave)制程完成55/40/28奈米平台,可应用在行动装置、物联网、5G通讯、车用电子工业雷达

在特殊制程技术部,洪嘉聪表示,联电28奈米高压制程是晶圆代工业界第一个领先开发并量产OLED面板驱动IC,22奈米高压22eHV制程研发进度符合预期指标射频绝缘半导体(RFSOI)技术可满足所有4G/5G手机对射频开关的严格要求。

此外,联电嵌入式快闪记忆体(eFlash)制程的40奈米导入量产,28奈米研发符合预期,将可供应物联网需求。40奈米电阻式随机存取记忆体(ReRAM)已经进入量产,22奈米ReRAM技术平台和22奈米嵌入式磁阻随机存取记忆体(eMRAM)制程平台研发业已如期进行中。联电也积极投入氮化镓(GaN)功率元件微波元件平台开发,借以布局高效能电源功率元件与5G微波元件市场。