《半导体》联电携英特尔开发12奈米制程 预计2027年投产

双方合作开发的12奈米制程，将善用英特尔在美国的大规模产能及FinFET电晶体设计经验，提供兼具成熟度、性能和能耗效率的强大组合。新制程将于英特尔美国亚利桑那州OTF的12、22和32厂开发制造，运用现有设备大幅降低前期投资，并最佳化稼动率。

联电表示，公司与英特尔将致力满足客户需求，透过生态系合作伙伴提供的电子设计自动化（EDA）和智慧财产权（IP）解决方案，合作支援12奈米制程的设计实现（design enablement）。此12奈米制程预计在2027年投产。

联电指出，此项长期合作结合英特尔位于美国的大规模制造产能，及联电在成熟制程上丰富的晶圆代工经验，借此扩充制程组合，同时提供更佳的区域多元且具韧性的供应链，协助全球客户做出更好的采购决策。

英特尔资深副总裁暨晶圆代工服务（IFS）总经理Stuart Pann表示，集团致力与联电等台湾创新企业合作，提供全球客户更好的服务。双方策略合作进一步展现对全球半导体供应链提供技术和制造创新承诺，也是实现英特尔2030年成为全球第二大晶圆代工厂的重要一步。

联电共同总经理王石表示，联电与英特尔进行在美国制造的12奈米FinFET制程合作，是联电追求具成本效益的产能扩张、和技术节点升级策略的重要一环，此举并延续集团对客户的一贯承诺。

王石指出，此项合作将协助客户顺利升级到此关键技术节点，同时受惠于扩展位于北美市场产能带来的供应链韧性。联电期待与英特尔展开策略合作，利用双方互补优势扩大潜在市场，同时大幅加快技术发展时程。