《半导体》联电推40奈米RFSOI平台 加速5G毫米波应用

联电表示，现今大多数的5G网路传输都在8GHz以下的低频段，但毫米波技术则使用介于24～60GHz间的高频段，借此提供超高的传输速度、极低的延迟及更稳定的连接。

联电40奈米RFSOI制程平台针对射频开关、低噪音放大器和功率放大器进行优化，能处理更宽的毫米波频段，并能保持精巧尺寸，同时达到在毫米波模组中含括更多射频元件需求，以提供客户将波束形成器、核心和被动元件及前端元件整合在单一射频晶片的解决方案。

联电技术开发部执行处长马瑞吉（Raj Verma）指出，5G的发展取决于毫米波的布建，以提供虚拟和扩增实境（VR/AR）、智慧城市、工业自动化和健康医疗应用所需的速度与能力。

马瑞吉表示，联电随着推出40奈米RFSOI平台扩展射频技术组合，协助客户将其先进5G装置推向市场，并在持续成长的毫米波市场掌握商机。目前已有几家客户与联电洽谈，为其射频前端产品制定客制化的40奈米RFSOI制程，预计2024年开始量产。

联电提供完整的射频前端模组解决方案，RFSOI系列解决方案以8吋和12吋晶圆生产。自2014年以来，联电已有超过400个产品完成设计定案（tape out），350亿颗RFSOI制程IC投入各种应用，55奈米RFSOI制程也已投产多年，服务5G sub-8GHz市场。