韩在陆扩成熟制程 美拟设限

一名消息人士表示：「美国有意要求三星及SK海力士限制中国传统晶片产能的扩张速度，且很有可能要求两家业者在中国缩减特殊传统晶片产量。」

美国商务部工业暨安全事务次长艾斯提瓦兹（Alan Estevaz）日前表示，美国有意在晶片禁令豁免到期后实施新的配额计划，限制三星及SK海力士在中国的晶片产能。他表示新一波限制可能是针对两家业者在中国的产能扩张速度，但拒绝透露限制重点在于晶片产量或晶片种类。

美国之所以出此下策，无疑是因为中国日渐主导全球晶片市场，而传统晶片应用广泛，涵盖军事设备、汽车、飞机、家电、医疗器材及消费电子装置等领域。

美国《晶片法案》将传统晶片定义为28奈米以上制程生产的晶片，相较之下，先进晶片泛指5奈米以下制程生产的晶片。

消息人士透露，当年中国对本地太阳能面板厂提供庞大补助，让中国太阳能面板低价涌入全球市场，使得美国同业在价格战中牺牲获利，最终纷纷破产。如今中国很可能在晶片产业故技重施，若真如此将威胁美国国安。

半导体产业协会SEMI估计，中国采用8奈米及12奈米成熟制程的晶片产线将在2026年前增至26条。研究机构IBS也预期，2025年前中国将在全球晶片市场拿下40％市占率。

美国政府为了防堵中国半导体势力扩张，已在去年10月对大陆实施更严格的晶片出口管制，但在当时给予三星、SK海力士和台积电等在中国设厂的海外业者1年豁免期。今年9月豁免即将到期，虽然外界预期美国将延长豁免期，但白宫国安委员会前任官员库柏（Zack Cooper）认为，美国最终还是希望联手韩国打击中国半导体势力。