2027陆成熟制程产能占比上看33％

TrendForce指出，中国成熟制程扩产聚焦在Driver IC、CIS/ISP与Power Discrete等领域，二、三线台厂首当其冲。

Driver IC方面，主要采用HV（High Voltage）制程，各家业者近期聚焦40/28nm HV制程开发，而目前市场制程技术较领先的业者是联电，其次是格罗方德（GlobalFoundries）。不过，中芯国际28HV、合肥晶合集成40HV将先后于今年第四季、明年下半年进入量产阶段，并与其他晶圆代工业者的技术差距逐渐缩小，尤其制程能力与产能相当竞争者如力积电，或暂无12吋厂的世界先进、东部高科（DBHitek）短期内将首当其冲；对联电、格罗方德中长期来看也将造成影响。

CIS/ISP方面，3D CIS结构包含逻辑层ISP与CIS感光层，主流制程大致以45/40nm为分水岭，目前技术领先业者以台积电（TSMC）、联电、三星（Samsung）为主，但中芯、合肥晶合集成紧追其后，预期后续将订单移回中国进行投产。

Power Discrete（功率元件）方面，主要涵盖MOSFET与IGBT两种产品，世界先进深耕已久，受惠于中国电动车补贴政策以及太阳能基础建设，中国晶圆代工业者获得更多切入机会，若中国产能同时大量开出，不仅中国本土出现价格战，也可能分食台系业者订单及客户。

TrendForce认为，中国大幅扩产可能造成全球成熟制程产能过剩，价格战将随之而来，中国本土化生产趋势将日渐明确，具备相似制程平台及产能的二、三线晶圆代工业者，可能面临客户流失风险与价格压力，如联电、力积电与世界先进等台系业者将首当其冲，技术进展和良率将是后续巩固产能的决胜点。