HBM3e 產出放量！HBM 投片量年底有望占先進製程約35%

美光。记者吴康玮／摄影

据研调机构集邦科技（TrendForce）最新研究显示，三大原厂已开始提高先进制程的投片，继记忆体合约价翻扬后，公司资金投入开始增加，产能提升将集中在今年下半年，预期1alpha nm（含）以上投片至年底将占DRAM总投片比重约40%。其中，HBM由于获利表现佳，加上需求持续看增，故生产顺序最优先。

不过受限于良率仅约50~60%，且晶圆面积相较DRAM产品，放大逾60%，意即所占投片比重高。以各家TSV产能来看，至年底HBM将占先进制程比重35%，其余则用以生产LPDDR5(X)与DDR5产品。

以HBM最新发展进度来看，集邦表示，今年HBM3e将是市场主流，集中在今年下半年出货。目前SK海力士（SK hynix）依旧是主要供应商，与美光（Micron）均采用1beta nm制程，两家业者现已正式出货给辉达（NVIDIA）；三星（Samsung）则采用1alpha nm制程，预期今年第2季完成验证，于年中开始交付。

预期今年DDR5、LPDDR5(X)渗透率增加 将消耗更多先进制程产能

除了HBM需求占比持续增加，PC、伺服器、智慧型手机三大应用单机搭载容量增长，故对于先进制程的消耗量也逐季提升，其中又以伺服器的容量提升最高，主要受惠於单机搭载容量1.75TB的AI伺服器所带动。而随着Intel、AMD新平台Sapphire Rapids、Genoa量产后，其记忆体规格仅能采用DDR5，预期今年DDR5渗透率至年底将逾50%。

与此同时，由于HBM3e出货将集中在今年下半年，期间同属记忆体需求旺季，DDR5与LPDDR5(X)市场预期需求也将看增。但受到2023年亏损压力影响，原厂产能扩张计划也较谨慎。整体而言，在HBM投片比重扩大的情况下，将使得先进制程产出有限，下半年产能配置将是供给是否充足的关键。

若先进制程产能扩张不足 DRAM产品恐面临供不应求

目前新厂规画如下，三星现有厂房2024年底产能大致满载，新厂房P4L规划于2025年完工，同时Line15厂区将进行制程转换，由1Ynm转换至1beta nm以上。SK海力士除了M16明年产能预计扩大，M15X同样亦规划于2025年完工，并于明年底量产。美光台湾厂区将于明年恢复至满载，后续产能扩张将以美国厂为主，Boise厂区预期于2025年完工并陆续移机，并计划于2026年量产。

集邦表示，尽管三大原厂的新厂将于2025年完工，但部分厂房后续的量产时程尚未有明确规划，需依赖2024年的获利，才得以持续扩大采购机台，此也进一步形成三大原厂坚守记忆体价格今年的涨势。除此之外，由于NVIDIA GB200将于2025年放量，其规格为HBM3e 192/384GB，预期HBM产出将接近翻倍，且紧接各原厂将迎来HBM4研发，若投资没有明显扩大，因各家产能规划皆以HBM为优先，在产能排挤的效应之下，DRAM产品恐有供应不及的可能性。