世界先进创新氮化镓制程 迈入量产

世界先进于2018年以Qromis基板技术（简称QST）进行8吋QST基板的0.35微米650V电压的GaN-on-QST制程开发，于今年第一季开发完成，于第四季成功量产，世界先进同时已和海内外IDM厂及IC设计公司展开合作。

世界先进表示，QST基板相较于以矽（Si）作为基板，具有与氮化镓磊晶层更匹配的热膨胀系数（CTE），在制程中堆叠氮化镓的同时，也能降低翘曲（warpage）破片，更有利于实现量产。

世界先进0.35微米650V电压GaN-on-QST制程能与既有的8吋矽晶圆机台设备在开发与生产上相互配合使用，以达最佳生产效率及良率。

根据客户端的系统验证结果，世界先进提供的氮化镓晶圆于快充市场的应用上，针对65W以上的快充产品，其系统效率已达世界领先的水准。此外，基于QST基板的良好散热特性，在整体快充方案效能上，世界先进提供的氮化镓晶圆具有更优良的散热表现。

世界先进0.35微米650V电压GaN-on-QST制程除了650V的元件选择之外，也提供内建静电保护元件（ESD），客户得以更便利的进行设计选择。

此外，该制程除具备更优异的可靠性与信赖性，针对超过1000V更高电压的扩充性，世界先进也已经与部分客户展开合作，以满足客户的产品需求。