联电创业界第一 0.11微米制程量产触控IC
▲联电将率先采用业界第一个0.11微米eFlash制程量产触控IC,应用于次世代触控控制器及物联网应用产品。(图/本报资料照片)
晶圆代工厂联电23日宣布,将率先采用业界第一个0.11微米eFlash制程量产触控IC,以8吋晶圆制造,采纯铝后段技术,有效降低一次性费用降低客户成本,因应次世代触控控制器及物联网应用产品制程需求。而在利多消息的刺激下,联电24日股价以红盘开出,重新站上每股11元的位置。
联电表示,该技术于2012年底推出,为晶圆业界第一个结合12V与纯铝后段(BEoL)制程,以因应次世代触控控制器及物联网应用产品的需求。在整合更高密度嵌入式快闪记忆体与SRAM,以便用于各尺寸触控荧幕产品的微控制器时,0.11微米制程可提供比0.18微米制程更小更快的逻辑元件,并可达到更高效能。
联电市场行销处资深处长黄克勤表示,触控面板已是现今电子产品主流的操作介面。联电触控平台解决方案其中重要特点,就是0.11微米eFlash解决方案,包含了可提供晶片设计公司的专有快闪记忆体macro设计服务。并借由结合铝后段制程来提供最佳成本效益,服务高度竞争的触控IC市场。
此外, 12V可满足现今更大尺寸触控荧幕,与浏览网页时在触控荧幕上悬浮触控(hover)应用的高信噪比需求。该技术与现今广泛采用的3.3V解决方案相比,信噪比可改善超过3倍,可驱动晶片设计公司创造新世代更先进的触控产品。
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