英特磊挟MBE 攻氮化镓市场

三五族厂英特磊IET-KY（4971）22日召开股东会，董事长暨总经理高永中指出，下半年投入氮化镓（GaN）／碳化矽（SiC）生产，并开发自组MBE机台，锑化镓（GaSb）国防订单可望第三季签约，今年营收成长动能仍来自主攻5G相关的磷化铟（InP），对下半年谨慎乐观，全年营收年增5～15％目标不变。

氮化镓能在高温、高电压环境运作，主要优势在于高频率元件。进入5G世代，对高频率、高功率元件需求成长，氮化镓被视为下一世代关键材料、是继砷化镓（GaAs）后半导体材料的新起之秀，适用于5G网络基站PA（功率放大器）、5G基础建设、高频高电压元件及功率转换器等。高永中特别点出，有多家客户洽谈合作事宜，2019年已与客户着手开发。

英特磊为全球唯二聚焦商用的MBE（分子束磊晶）高端磊晶厂，在新厂陆续完成六～八台MBE机台安装后，也规画组装氮化镓机台。高永中指出，MBE在氮化镓上具优势，因生长的温度低，可以减少在尺寸越来越大时出现裂纹的可能，在产品的准确度、参杂度、均匀度表现上，MBE都较MOCVD（金属有机化学气相沉积系统）来得好。