英特磊携韩厂IVWorks 攻氮化镓全球市场

英特磊IET-KY（4971）18日宣布，与韩国IVWorks公司合作，开发以MBE分子束磊晶技术生产氮化镓（GaN）磊晶片。英特磊总经理高永中表示，氮化镓具高频优势，是5G、物联网时代被大量使用的新一代半导体材料，与IVWorks合作提早掌握GaN先机，抢攻RF（射频）和电力器件领域，扩大全球市场布局。

高永中表示，英特磊与IVWorks 2018年起在GaN材料和磊晶技术密切合作，2019年形成技术和行销联盟框架。这次的合作案联手开发MBE制造的GaN磊晶产品全球业务；现有产品GaN/Si（最大200mm）和GaN/SiC（最大150mm）已进入送样阶段。

IVWorks运用混合式MBE技术（Hybrid-MBE），生产高质量的GaN磊晶片，并以人工智能（AI）磊晶监控系统“Domm™”，透过深度学习算法检测和分析反射高能电子衍射（RHEED）图像，在MBE磊晶过程中即时监控原子层级的晶体生长表面，借以提高生产良率。

英特磊则有拥多项美国专利的即时生产监控系统，高永中表示，利用公司在MBE的量产经验模式，以及硬体设备自主改造升级的实力，可迅速将GaN磊晶片导入与IVWorks合作的产品组合。

IVWorks首席执行长Young-Kyun Noh表示，藉合作案加快使用革命性的AI制造系统，向全球半导体行业提供高质量GaN磊晶片，提高市场渗透率和应对速度，增强GaN磊晶片的市场竞争力。