氮化镓攻RF市场 三五族备战

第三代半导体材料氮化镓（GaN）等发展受瞩，全球磊晶龙头IQE 2020年营收估将逾1.7亿元英镑，年增逾二成，即由GaN on SiC（碳化矽基氮化镓）用于5G基础设施所贡献，惟相较其高成本，GaN on Si（矽基氮化镓）获市场相对看好、将率先进入无线射频（RF）市场，已投入相关研发的台系三五族半导体厂包括稳懋（3105）、宏捷科（8086）等也已就战备位置。

宏捷科指出，GaN制程选择有三，包括GaN on Sic（碳化矽基氮化镓）、GaN on Si、GaN on Sapphire；其中，6吋GaN on Sic在各方面表现最佳，然成本最高，现阶段不适合消费性电子产品。GaN on Sapphire则有散热不佳的问题，相较之下，GaN on Si将有机会率先进入基础建设与高频射频市场。

一般以GaAs（砷化镓）所制作的晶圆要价约1,000～1,200美元／片，但若是以GaN on Sic制作，光是Epi（磊晶）一片就要约7,000～8,000美元，整个制程下来，一片要价恐高达10,000美元，与GaAs相较，差距约8～10倍左右，成本相当昂贵。此外，SiC基板主要由美系龙头大厂Cree所掌握，几乎是垄断，以致材料取得不易。

GaN on Si目前已有包括台积电在内用以制作快充，现阶段以Power（电源）市场为主，无线通讯的RF（射频）元件则是各界亟欲卡位的未来商机。

包括稳懋、全新、宏捷科、全讯、环宇-KY、太极、中美晶等纷纷着手相关布局，如中美晶携手宏捷科、全新与太极、汉磊集团积极思考如何确保SiC（碳化矽）基板来源。

宏捷科表示，与中美晶合作，正是看好其旗下半导体子公司环球晶圆最有能力提供材料，现阶段已陆续就参数等细节，进行来回调整，期望能在2022年上半年达到量产目标。