挟全球唯二商用MBE 英特磊攻氮化镓市场

英特磊IET-KY（4971）22日召开股东会，董事长暨总经理高永中指出，在新厂组装氮化镓（GaN）机台，下半年投入GaN/SiC生产，并开发自组MBE机台、期年底到位，特别因应预期快速成长的氮化镓领域，因MBE对氮化镓更具优势；对今年营收年成长维持原预估5～15％，态度谨慎乐观。

英特磊为全球唯二聚焦商用的MBE高端磊晶厂，2019年已与客户着手开发氮化镓。针对MBE在氮化镓上的优势，高永中指出，因生长的温度低，可以减少在尺寸越来越大出现裂纹的可能，在产品的准确度、参杂度、均匀度表现上，MBE都较MOCVD来得好。

英特磊主要产品之一的锑化镓（GaSb），今年在国防领域有重大突破，应用于战斗机的订单在望，4月已有预先订单、进入试车，惟原预定7月签约，在大环境的改变下，时程可能略有延迟，但高永中表示，在第三季可望看到结果。下半年主要成长动力来自磷化铟（InP）、应用于光电方面，以及来自国防新订单的锑化镓。