英特磊携韩厂 抢攻氮化镓

英特磊IET-KY（4971）18日宣布，与韩国IVWorks公司合作，开发以MBE分子束磊晶技术生产氮化镓（GaN）磊晶片。英特磊总经理高永中表示，氮化镓具高频优势，是5G、物联网时代被大量使用的新一代半导体材料，与IVWorks合作提早掌握GaN先机，抢攻RF（射频）和电力器件领域，扩大全球市场布局。

高永中表示，英特磊与IVWorks 2018年起在GaN材料和磊晶技术密切合作，2019年形成技术和行销联盟框架。这次的合作案联手开发MBE制造的GaN磊晶产品全球业务；现有产品GaN/Si（最大200mm）和GaN/SiC（最大150mm）已进入送样阶段。

IVWorks运用混合式MBE技术（Hybrid-MBE），生产高质量的GaN磊晶片。英特磊则有拥多项美国专利的即时生产监控系统，高永中表示，利用公司在MBE的量产经验模式，以及硬体设备自主改造升级的实力，可迅速将GaN磊晶片导入与IVWorks合作的产品组合。