国防加持！锑化镓需求增 英特磊今年再设第二条产线

光电及高频产品部分，受今年上半年量产客户库存仍高，惟研发产品订单持绩进行，磷化铟（InP）磊晶产品长期需求看好，今年持平，营收比重可能下幅下滑，APD订单则持续增加；至于高频HBT量产订单，已自第二季中旬逐渐复苏，大尺寸InP HBT等磊晶产品亦开始交货，将是未来若进入6G时代之关键。

高永中表示，由于英特磊产品较偏重基建及工业，故在GaAs族群业绩同步进入寒冬期的去年，全年营收仍以8.93亿元逆势创下历史高。

展望今年，目前仍以InP为营收占比最高之产品，未来将持续与主要客户洽谈年度采购订单、反应成本增加适时调价，并与客户研发长波长InP VCSEL磊晶片之各项应用；此外，随地缘政治风险增加，各国对国防需求均出现提升，尤其美国对GaSb磊晶片增高需求，GaSb应用除环保气体侦测外，也可用于夜视增强器。

高永中指出，目前英特磊制作的是第四代，未来在军用领域发展可期，预估今年GaSb营收占比就会上升至15％～20％，明年还有机会突破20％，今年公司也将会完成第二条生产线，以扩大单晶生产之产能。

由于美国晶片法存在退场机制、将在2027年废止，故业者若要在法案废止前获得最多优惠，就必须尽快展开设厂动作。高永中表示，英特磊今年规划将扩建3万呎厂房，做为储存机器、机器改造或GaSb生产线迁入之用，加速基建资本支出与新购机器的更新速度。

营运开发重点方面，英特磊去年购置六台大型MBE机台，交款时限符合美国晶片法案启动时限，今年预计会再增加三台MBE，其中两台是提供氮化镓（GaN）使用，另一台则为8 x 6 MBE 20，是全球最大的MBE机台，将于今年完成并买下；此外，1300nm掺氮VCSEL开发则持续与一线厂商合作。