Microchip持续扩大氮化镓 射频功率元件产品组合

与所有Microchip的GaN射频功率产品一样，新元件采用碳化矽基氮化镓技术制造，提供了高功率密度和产量的最佳组合，可在高压下运行，255℃接面温度下使用寿命超过100万小时。

这些产品包括覆盖2至18GHz、12至20GHz和12至20GHz的氮化镓MMIC，3dB压缩点（P3dB）射频输出功率高达20W，效率高达25％，以及用于S和X波段的裸晶和封装氮化镓MMIC放大器，PAE高达60％，以及覆盖直流至14GHz的分离高电子迁移率电晶体（HEMT）元件，P3dB射频输出功率高达100W，最大效率为70％。

Microchip分离产品业务部副总裁Leon Gross表示，Microchip持续投入打造GaN射频产品系列，以支援从微波到毫米波长所有频率的各种应用。我们的产品组合包括从低功率水准到2.2千瓦的50多种元件。今天宣布推出的产品跨越了2至20GHz，旨在解决5G和其他无线网路采用的高阶调变技术带来的线性度和效率挑战，以及满足卫星通讯和国防应用的独特需求。

除GaN元件外，Microchip的射频半导体产品组合包括砷化镓（GaAs）射频放大器和模组、低杂讯放大器、前端模组（RFFE）、变容二极体、萧特基和PIN二极体、射频开关和电压可变衰减器。此外，公司还提供高效能表面声波（SAW）感测器和微机电系统（MEMS）振荡器以及高度整合的模组。这些模组将微控制器（MCU）与射频收发器（WiFi MCU）相结合，支援从蓝牙和WiFi到LoRa的主要短程无线通讯协定。