环球晶携手交大 成立「化合物半导体研究中心」！积极布局碳化矽、氮化镓产业链
▲「环球晶圆」与国立交通大学合作，共同成立化合物半导体研究中心。（图／环球晶圆提供）
半导体矽晶圆厂「环球晶圆」（6488）27日宣布，与国立交通大学正式签订合约，共同合作成立化合物半导体研究中心，携手研发第三代半导体材料，包含但不限于6吋至8吋碳化矽（SiC）和氮化镓（GaN），盼能快速建立台湾的化合物半导体产业链。
环球晶圆母公司「中美矽晶」（5483）荣誉董事长卢明光表示，碳化矽（SiC）和氮化镓（GaN）是非常具有发展前景的半导体材料，在下一波产业5G、电动车等高功率发电、高频率的运用上，是最关键的要素。
卢明光强调，世界各国都视碳化矽（SiC）为国家战略发展的原料及技术，台湾应该将第三代半导体之发展列为国家科技政策、全力发展，「与国立交通大学成立化合物半导体研究中心，是一个强强结盟的重要起步。」
▲环球晶圆表示，相较于传统的半导体矽材料，碳化矽（SiC）和氮化镓（GaN）这类宽能隙元件具有优异的热传导率和高速切换能力，可减少运作损耗。（图／环球晶圆提供）
国立交通大学代理校长陈信宏表示，交大引领台湾半导体研究之先，例如台湾第一片矽晶圆是在交大实验室完成；交大结合校友力量，协助学校推动尖端研究，期望5至10年、能有3至5个领域达到世界第一的目标，进而成就「伟大大学」的愿景。
陈信宏说，交大团队将整合跨尺度学理研究特色，并结合环球晶圆生产制程相关独特技术，整合理论与实务共同开发创新的高产能相关化合物半导体晶圆制造技术，以制造大尺寸、高品质、低缺陷晶圆为目标。
环球晶圆表示，相较于传统的半导体矽材料，碳化矽（SiC）和氮化镓（GaN）这类宽能隙元件具有优异的热传导率和高速切换能力，可减少运作损耗；出色的性能适合在高温高电流环境下运作，可提供更高的功率和绝佳热传导。
此外，碳化矽（SiC）和氮化镓（GaN）的散热性能优越，且高饱和电流适用于快速充电，这些卓越的特性适用在5G通讯、快速充电与超高压产品如电动车领域，深具市场潜力，被视为功率半导体元件的「明日之星」。