中山大技转碳化矽晶体 助攻半导体

中山大学材料与光电科学学系教授兼晶体研究中心主任周明奇19日指出，研发过程结合中钢、中钢碳素等国内企业专业，除在石墨隔热材料、坩埚及晶体生长设备等领域助攻MIT产业升级，今年7月起更技转台湾应用晶体集团。第三类（次世代）半导体材料碳化矽（SiC）具备低耗损、高功率、低杂讯、散热佳等不可取代的特性，但晶体生长的技术门槛高。

周明奇强调，碳化矽晶体是国家重要战略物资，可多元应用于电动车、光电、卫星通讯、国防、生医等领域，中山大学团队创全国学研单位之先，已取得晶体生长关键突破，成功生长6吋导电型（n-type）4H碳化矽单晶，并在品质稳定、生长速度等面向持续优化。而除了第三类半导体材料碳化矽晶体的优势，中山大学同步研发第四类半导体氧化镓（Ga2O3）的单晶块材（Bulk Crystal）。

周明奇表示，中山大学团队携手台湾企业共同创新，例如长晶设备包括电源供应器及电脑控制系统等软硬体100％MIT，长晶炉是由中山大学创新育成中心孵化的企业所打造，坩埚（存放碳化矽原物料的容器）及石墨等隔热材料更有赖高雄在地企业的应援。他说，特别感谢包括中钢与中碳的专业支援，提供许多协助。