中山大学独创长晶技术 助半导体产业升级

国立中山大学晶体研究中心率全国大学之先，独创第三代半导体材料「碳化矽」长晶技术，将助攻台湾产业升级。（国立中山大学提供／袁庭尧高雄传真）

全球产业晶片荒，汽车制造业所需的第三代半导体材料「碳化矽」供不应求，国立中山大学「晶体研究中心」自行研发设备及技术，透过摄氏2200度以上超高温生长出碳化矽晶体，是国内唯一具备生产6至8吋晶圆设备的研究中心。

中山大学材料与光电科学学系讲座教授兼晶体研究中心主任周明奇指出，台湾半导体晶圆代工居全球之冠，但在发展5G、电动车等新兴科技过程，却因缺乏第三代半导体材料「碳化矽」与「氮化镓」晶体，而使相关产业发展受限。

周明奇强调，晶体生长的技术门槛太高，且需大量时间及经验，导致国内极少公司投入生产，生产公司也因长晶设备及热场非自行研发组装，常导致生长晶体良率太低。

中山晶体研究中心在科技部自然司物理学门支持及教育部高教深耕计划经费挹注下，已克服技术难关，从生长晶体的「长晶炉」到长晶技术，全部自行设计研发，关键技术不倚赖国外厂商。

周明奇强调，第三代半导体新材料的研发将左右台湾能否掌握下世代半导体的先机，牵动全球经济、政治与国防军事的重新布局。晶体研究中心将把生长碳化矽晶体的核心技术「根留台湾」，助国内半导体产业加速升级，进而巩固台湾在全球半导体版图中的领先地位，也借此培养南台湾相关领域人才。

晶体中心将与2家大型上市公司携手开发高纯度碳化矽粉末、坩埚及隔热材料等上游原物料，中心负责开发碳化矽晶体生长技术及长晶设备，中山大学技术移转的设备公司负责碳化矽晶体的生长及切磨抛，三方将朝成立碳化矽晶体生长公司的目标迈进。