环球晶携交大 成立化合物半导体研究中心

环球晶母公司中美晶董事长卢明光（左起）、环球晶董事长徐秀兰（左二）、及交通大学代理校长陈信宏（右三）等共同宣布，环球晶与交大合作成立化合物半导体研究中心，投入SiC及GaN研发。图／业者提供

随着5G、电动车等科技加速发展，功率半导体需求随之升温。着眼于第三代半导体材料碳化矽（SiC）和氮化镓（GaN）的发展潜力，环球晶27日与国立交通大学正式签订合约，共同合作成立化合物半导体研究中心，携手研发第三代半导体材料包含但不限于6吋至8吋SiC和GaN晶圆，期能快速建立台湾的化合物半导体产业链。

环球晶母公司中美晶荣誉董事长卢明光表示，SiC及GaN是非常具有发展前景的半导体材料，在下一波产业5G、电动车等高功率发电、高频率的运用上是最关键的要素。卢明光强调，世界各国都视SiC为国家战略发展的原料及技术，台湾应该将第三代半导体发展列为国家科技政策、全力发展。环球晶与交通大学成立化合物半导体研究中心是一个强强结盟的重要起步。

交通大学代理校长陈信宏表示，交大引领台湾半导体研究之先，例如台湾第一片矽晶圆是在交大实验室完成的。交大结合校友力量，协助学校推动尖端研究，期望五～十年能有三～五个领域达到世界第一的目标，进而成就「伟大大学」愿景。

陈信宏指出，在本研究中心，交大团队将整合跨尺度学理研究特色，并结合环球晶生产制程相关独特技术，整合理论与实务共同开发创新的高产能相关化合物半导体晶圆制造技术，以制造大尺寸、高品质、低缺陷晶圆为目标。

环球晶表示，相较于传统的半导体矽材料，SiC及GaN这类宽能隙（WBG）元件具有优异的热传导率和高速切换能力，可减少运作损耗，出色的性能适合在高温高电流环境下运作，可提供更高的功率和绝佳热传导。同时，其散热性能优越，且高饱和电流适用于快速充电，这些卓越的特性适用在5G通讯、快速充电与超高压产品如电动车领域，深具市场潜力，被视为功率半导体元件的明日之星。