交大教授新突破 有望成为第5代电子封装技术

交通大学陈智、陈冠能两位教授团队今 (3)日发表利用特殊电镀发展低温低压的铜、铜接合技术，有望成为第5代高阶电子封装技术，对半导体、晶圆产业带来贡献。

交大表示，材料系特聘教授暨奈米学士班主任陈智、电子系教授暨国际半导体产业学院副院长陈冠能团队与美国加州大学洛杉矶分校 (UCLA)暨中央研究院院士杜经宁教授合作，在微电子封装业的研究有重大突破。

交大指出，团队利用特殊电镀技术发展低温低压的铜、铜接合技术，若未来进一步提升反应速度与均匀度，有望取代銲锡，成为继打线接合、卷带自动接合、覆晶封装、微凸块矽穿孔电镀后的第5代电子封装技术。

陈智说，团队2012年利用特殊电镀技术制备具有高度 (111)优选方向的奈米双晶铜金属膜，当时已发表在Science期刊，因为111面为最密堆积平面，平面上的铜原子具扩散速度较快的特性，开始发展低温低压的铜铜接合技术，目前已成功在10-3torr一般真空环境以摄氏150度低温、小于1MPa低压铜、铜接合，过程可在60分钟内完成。

陈智强调，这个温度远低于一般无铅銲锡回銲的温度，若提高到摄氏250度，更可在10分钟内完成接合，是铜、铜接合发展上的重大突破，尤其整个研究是台湾团队主导，实验也都在台湾完成，除已发表在5月出版的科学报导(Scientific Reports)，也获得台湾发明专利，并同时申请美国及德国专利。