HBM高度客制 明年需求仍看好

据市场法人调查发现，由于HBM客制化程度高，需通过辉达、超微及ASIC方案商验证通过，才能正式出货，属计划性生产，供给增加量有限。图／本报资料照片

HBM后市看法

高频宽记忆体（HBM）供需问题，成为记忆体产业界高度关注问题，法人机构调查后发现，2025年HBM需求有上升空间，且因客制化程度高，通用性也不强，在国际厂商计划性生产下，预期2025年不易有超额供给问题。

HBM是一种可以用于高速运算、能运送大量资料的记忆体，目前市场由三星、SK海力士与美光三大DRAM厂所垄断。

台系厂商未生产HBM，因此法人关注重点在于，三大DRAM厂产能扩产情况，对整体DRAM供需及报价的影响，以及台厂如威刚等，在HBM延伸应用领域的进度。

市场法人分析，2025年HBM主流规格，将转为8层和12层的HBM3E，其中，12层的HBM3E将搭配辉达（NVIDIA）的Blackwell系列，以及超微（AMD）的MI325、MI350等AI加速器使用。

根据外资券商瑞银证券调查发现，尽管市场上辉达晶片延迟出货传闻不断，但该券商重申，三星及SK海力士的12层HBM3E，皆将于2024年第四季开始出货给辉达。

该券商预测，随着客户询问热度不退，2025年HBM需求，仍有上升空间，可能接近或超过瑞银预测的223亿GB。

另据市场法人调查发现，由于HBM客制化程度高，需通过辉达、超微及ASIC方案商验证通过，才能正式出货，属计划性生产，供给增加量有限。

在制程上，HBM前段制程与DDR5共用，后段矽穿孔（TSV）及热压键合（TCB）等设备为特殊用途。HBM供应商不致于因设备的折旧压力，而生产过多产品，因此，研判2025年HBM出现供给过剩的机率不大。

法人预期，三星、SK海力士与美光三大DRAM厂商，在2025年将致力于升级到1b／1β，甚至1c奈米制程，以应对未来伺服器市场对下一代高频宽记忆体HBM3E、128GB或更高DDR5模组需求。

至于用于生产DDR4、DDR3等成熟制程供给，三大DRAM厂商则将持续减少，因此，法人研判，2025年DRAM市场供需有望维持平衡。