AI带动需求 HBM供给位元年增估冲260％

2022~2024 HBM占DRAM产业产值比重预估

TrendForce预估，截至2024年底，整体DRAM产业规划生产高频宽记忆体（HBM）、含矽穿孔（TSV）的产能，每月约为25万片，占总DRAM产能每月180万片的14％，供给位元年成长约260％。

产业界人士指出，AI带动HBM需求，随着资料中心基础建设营运业者，将采购对象从传统伺服器转向AI伺服器，晶片设计客户面对强劲市场需求，陆续宣布GPU与AI加速器ASIC产品开发计划，对于HBM在容量、效能与功耗等方面的要求，也愈来愈高。

TrendForce资深研究副总吴雅婷指出，也由于HBM售价高昂、获利高，已带动DRAM厂纷纷扩大资本支出投资。

因HBM产能增加，2023年HBM产值占DRAM整体产业约8.4％，至2024年底将扩大至20.1％。

吴雅婷表示，以HBM及DDR5生产差异来看，其晶粒尺寸（Die Size）大致上较DDR5同制程与同容量（例如24Gb对比24Gb）尺寸大35～45％；良率（包含TSV封装良率），则比起DDR5低约20～30％；生产周期（包含TSV）较DDR5多1.5～2个月不等。

由于HBM生产周期较DDR5更长，至投片到产出与封装完成需要两个季度以上。因此，急欲取得充足供货的买家，需要更早锁定订单量。

据TrendForce了解，大部分针对2024年度的订单，都已经递交给供应商，除非有验证无法通过的情况，否则目前来看这些订单量均无法取消（non-cancellable）。

TrendForce观察，以HBM产能来看，三星、SK海力士至2024年底的HBM产能规划最积极，三星HBM总产能至年底将达约13万片（含TSV）；SK海力士约12万片，但产能会依据验证进度与客户订单持续而有变化。另以现阶段主流产品HBM3产品市占率来看，目前SK海力士于HBM3市场比重逾9成，而三星将随着后续数个季度超微（AMD）MI300逐季放量，持续紧追在后。