HBM需求 三星：将年增逾1倍

图为三星。图／美联社

HBM后市

科技业对消费性电子反映终端应用预估保守，AI应用面则展现强劲需求，三星电子预估2025年全球对高频宽记忆体（HBM）需求，将年增逾1倍，美光稍早也指出，2024年及2025年的HBM产能已销售一空。

外资券商摩根士丹利先前预测，AI需求相对仍强劲，但因传统终端市场疲软，致记忆体价格下滑，第四季记忆体行情更具挑战，大摩预期恐于2025年出现趋势逆转，DRAM将一路供过于求至2026年。

三星电子依旧看好AI浪潮推动HBM需求大涨，预期明年全球需求增加1倍至250亿GB，HBM占整体DRAM销售比重达28％，高于今年的16％；客制化AI记忆体市场总容量在2028年达到2,294亿GB，较去年大增16倍。预测从2024～2029年，伺服器DRAM需求将以年均27％的速度成长，2024～2027年达58％。

另美光已开始送样HBM3E 12-high 36GB产品，2025年第一季将大量生产并交货。在HBM4的部分，HBM消耗的DRAM片数将持续增加，只要HBM的性能持续超过DRAM，每片消耗的DRAM片数就会续增。

美光上调2025年HBM整体市场规模至250亿美元，如美光在HBM上能达成与在DRAM市场相同市占，2025年HBM营收将达60亿美元水准。

投资顾问机构Bain & Co.预期2026年HBM需求将较去年成长60％至65％，NAND Flash需求将较去年成长30％至35％。