《科技》HBM明年营收倍增 NAND供过于求缓解

集邦科技分析师王豫琪表示，HBM市场仍处于高成长阶段，随着AI Server持续布建，在GPU算力与记忆体容量都将升级下，HBM成为其中不可或缺的一环，带动HBM规格容量上升，如NVIDIA Blackwell平台将采用192GB HBM3e记忆体、AMD的MI325更是提升到288GB以上。由于HBM生产难度高、良率仍有显著改善空间，推高整体生产成本，平均售价约是DRAM产品的三至五倍，待HBM3e量产，加上产能扩张，营收贡献将逐季上扬。

针对市场传言HBM供过于求还是供不应求状况，王豫琪说明，主要是因为HBM生产难度高、良率仍有显著改善空间，市场仍难买HBM，产生供不应求状况，HBM3e 12hi生产收益学习曲线需要克服，如今时间点使得供需泡沫点难以预估，评估验证后导入量产，关注产量，HBM提高订单能见度便能讨论实际供需，HBM整体看法仍为正向成长的存在，预计2025年收益率将上升。随着HBM3e价格上涨和产品组合的增加，HBM的ASP将在2025年增长18%，进一步推动收入增长156%，其占DRAM收入的比重将超过30%。

NAND Flash市场上，集邦科技研究经理敖国锋表示，NAND Flash供应商经历2023年的巨额亏损后，资本支出转趋保守。同时，DRAM和HBM等记忆体产品需求受惠AI浪潮的带动，将排挤2025年NAND Flash的设备投资，使得过去严重供过于求的市况将有所缓解。随着AI技术快速发展，NAND Flash市场正经历前所未有的变革。AI应用对高速、大容量储存的需求日益增加，推动企业级enterprise SSD(eSSD)市场的蓬勃发展。