胡耀文入选23年度《麻省理工科技评论》“TR35”

近几十年来，光学领域的突破和创新，给人类生活带来了极大改变。基于光电融合的耦合微腔，则被认为是下一代颇具发展前景的微纳光子器件。为推动该领域的发展，胡耀文在过去几年中聚焦并成功地构建了基于薄膜铌酸锂的电光耦合微腔平台。该平台能够提供光子多能级系统，并可以在强耦合尺度下通过电光效应施加跃迁。基于该平台，2021 年，他通过在多能级系统与连续谱耦合的系统中应用广义临界耦合理论，实现了超越世界最高水平的电光频移器。该器件能够将光频率改变 10 至 30 吉赫兹，拥有大于 99% 的平移效率和仅仅 0.45 分贝的片上损耗。另外，他还展示了级联频移这一在之前的光子器件中完全不存在的现象。2022 年，他将耦合微腔和广义临界耦合应用在电光频梳领域，创造出具有超高性能的光学频梳。与此前世界最高水平相比，该频梳的转换效率提高了 100 倍，带宽提高了 2.2 倍。此外，他还将上述平台应用于光学合成维度的领域，展示出四维的频率晶体和频率空间的合成镜面（反射率>0.9999）。上述成果充分证明，薄膜铌酸锂所具备的优势，恰恰是耦合微腔所需要的。而胡耀文的相关研究，也推动了薄膜铌酸锂这一新兴光子芯片平台的突破，促进下一代信息技术的存储、传输、计算和探测发展。

入选理由：引领基于薄膜铌酸锂光子平台的光电融合芯片研究，实现对片上光子高速、高效的光电调控，为实现未来全光电融合芯片提供全新发展路线。

编辑: 金计玮

责编: 张纯歆