辉达B系列有解 埃米机台将到手 台积先进制程双喜临门

图/台积电提供

CoWoS先进封装比较

CoWoS-S/L/R比较

台积电先进制程利多二连发!供应链消息透露,辉达(NVIDIA)Blackwell修改6层Metal layer(金属层)光罩,不用重新流片(tape-out)再投产,递延生产时间有限,乐观估计GB200于12月量产,明年第一季大量交付ODM。另外,ASML的High-NA EUV(高数值孔径极紫外光微影系统)设备将于9月首度抵台、传出将直送交台积电全球研发中心,抢先布局埃米时代。

人工智慧(AI)及高效能运算(HPC)需求强劲,对先进封装技术的要求也随之提高,GB200递延消息成为AI产业最大的多空指标;相关业者透露,Blackwell晶片金属层在高压制程下遇到不稳定情况,因此针对问题修正,该事件于7月便已克服,加上情况发生在后道工序(Back-of-Line),研判毋须重新流片生产。但目前仍卡关在CoWoS-L产能,今年仍以S为大宗。

不过,改版的B200将在10月下半年完成,GB200可望顺利于12月进入量产,明年第一季便能大量交付ODM业者。法人表示,台积电CoWoS产能持续满载,GB200延后对营运无影响,而相关产能更加足马力扩充,CoWoS-L为首要建置目标,相较于S之99%之良率,L约略低于其8个百分点。

在先进制程部分,3奈米台积电几乎一统江湖,法人估计,明年1月1日先进制程涨价6%,美系手机客户则调升3%。2奈米台积电保持稳健步伐,预计能在规模上领先竞争对手。

此外,供应链透露,台积电订购之ASML High-NA EUV设备将于本月抵台,初号机作为实验用,将会以新竹宝山全球研发中心率先拥有;台积电于SEMICON释出后CFET(互补式场效电晶体)时代路径图,比利时微电子研究中心(imec)透露A14制程开始,为追求更小的金属层间距(Metal pitch),即会开始使用High-NA EUV,对照台积电于2026年以EUV量产A16,外界猜测A14开始将以High-NA EUV为主。

台积电逐渐于军备竞赛取得领先地位,对手传出在爱尔兰半导体园区进行人力精简政策,业内专家指出,爱尔兰所属Fab 34于去年甫新厂落成启动,掌握极紫外光EUV技术,恐将失去部分产能;不过将精力投注在埃米时代战场,是目前最佳的策略选择。