辉达B系列有解 埃米机台将到手 台积先进制程双喜临门

图／台积电提供

CoWoS先进封装比较

CoWoS-S／L／R比较

台积电先进制程利多二连发！供应链消息透露，辉达（NVIDIA）Blackwell修改6层Metal layer（金属层）光罩，不用重新流片（tape-out）再投产，递延生产时间有限，乐观估计GB200于12月量产，明年第一季大量交付ODM。另外，ASML的High-NA EUV（高数值孔径极紫外光微影系统）设备将于9月首度抵台、传出将直送交台积电全球研发中心，抢先布局埃米时代。

人工智慧（AI）及高效能运算（HPC）需求强劲，对先进封装技术的要求也随之提高，GB200递延消息成为AI产业最大的多空指标；相关业者透露，Blackwell晶片金属层在高压制程下遇到不稳定情况，因此针对问题修正，该事件于7月便已克服，加上情况发生在后道工序（Back-of-Line），研判毋须重新流片生产。但目前仍卡关在CoWoS-L产能，今年仍以S为大宗。

不过，改版的B200将在10月下半年完成，GB200可望顺利于12月进入量产，明年第一季便能大量交付ODM业者。法人表示，台积电CoWoS产能持续满载，GB200延后对营运无影响，而相关产能更加足马力扩充，CoWoS-L为首要建置目标，相较于S之99％之良率，L约略低于其8个百分点。

在先进制程部分，3奈米台积电几乎一统江湖，法人估计，明年1月1日先进制程涨价6％，美系手机客户则调升3％。2奈米台积电保持稳健步伐，预计能在规模上领先竞争对手。

此外，供应链透露，台积电订购之ASML High-NA EUV设备将于本月抵台，初号机作为实验用，将会以新竹宝山全球研发中心率先拥有；台积电于SEMICON释出后CFET（互补式场效电晶体）时代路径图，比利时微电子研究中心（imec）透露A14制程开始，为追求更小的金属层间距（Metal pitch），即会开始使用High-NA EUV，对照台积电于2026年以EUV量产A16，外界猜测A14开始将以High-NA EUV为主。

台积电逐渐于军备竞赛取得领先地位，对手传出在爱尔兰半导体园区进行人力精简政策，业内专家指出，爱尔兰所属Fab 34于去年甫新厂落成启动，掌握极紫外光EUV技术，恐将失去部分产能；不过将精力投注在埃米时代战场，是目前最佳的策略选择。