5奈米稼动率明年破百 需求旺 台积先进制程火烫

此外，台积电CoWoS年底将开出3.6万片月产能，明年底上看9万片，爆发点集中在明年第四季，缓解目前封装产能压力。

供应链透露，辉达B系列逐步放量，至今年底将产出20万颗的B200晶片，明年第三季则推出B300A，AI需求延续；从先进封装CoWoS产能来看，今年底月产能将达到3.6万片，明年季季增、伴随新厂产能开出，年底产能上看9万片。

台积电10月营收再缔新猷，凸显第四季未受消费性电子淡季影响、产线维持满载，AI加持下步入营收快速成长周期，3奈米投资成效开始显现。法人分析，凭借技术领先优势，透过将5奈米转换为3奈米，将有更多3奈米产能开出。

台积电3奈米成功，带旺联发科天玑旗舰级晶片竞争力。供应链透露，三星自研晶片即受限自家代工厂产能，据估计，明年三星手机晶片缺口将达15％，给予联发科切入机会，智慧型手机市场大饼通吃，因此iPhone流片下修约10％对稼动率影响不大。而明年手机主流仍采3奈米情况下，台积电将继续主宰3奈米先进制程节点。

5奈米家族部分，由辉达B系列晶片放量助攻，法人预估稼动率将达101％；最受瞩目的亚利桑那州厂预计会明年年初量产。B系列晶片今年底有望交付20万颗、明年持续放量为贡献主轴；依辉达产品路线图规划，明年第三季将有采4奈米B300／B300A接力，分别采CoWoS-L与CoWoS-S先进封装。

先进封装同样畅旺，法人预估，台积电CoWoS至年底将开出3.6万片之月产能，明年底上看9万片，爆发点集中在明年第四季，南科新厂快速上线，缓解目前封装产能压力。